👈 فروشگاه فایل 👉

ترجمه مقاله تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد

ارتباط با ما

... دانلود ...

تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد

چکیده__ در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه ی سیلیکون-بر-عایق (SOI)، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS-مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک-گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS-NW-CMOS نشان داده شده است.

تحقیق کارشناسی ارشد برق

فایل محتوای:

1) اصل مقاله لاتین 2010 IEEE

2) متن ورد شده بصورت کاملا تخصصی

👇محصولات تصادفی👇

پاورپوینت معرفی حرفه تجارت الکترونیک در اینترنت همراه با تصاویر آموزشی نقشه زمین شناسی حوضه آبریز رودخانه ارس مجموعه اسلایدها با موضوع ZigBee ارزیابی رابطه بین نسبت های مرتبط با قیمت معاملاتی با بازده سهام در شركتهای پذیرفته شده در بورس اوراق بهادار پاورپوینت فصل دوم کتاب مهندسی تاسیسات الکتریک